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晶體管 FQP27N25 MOSFET - FET

類型：
分立半導體產品

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產品信息

FQP27N25介紹：

描述 MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220

制造商標準提前期 52 周

詳細描述通孔 N 溝道 250V 25.5A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 QFET?

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 250V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 25.5A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 110 毫歐 @ 12.75A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 65nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2450pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 180W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-220AB

封裝/外殼 TO-220-3

場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

公司介紹

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