晶體管 - IGBT FS75R12KE3 半導體產(chǎn)品

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    分立半導體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

FS75R12KE3介紹:
描述 IGBT MODULE 1200V 75A
制造商標準提前期 48 周
詳細描述 IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 105A 350W Chassis Mount Module
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - IGBT - 模塊
制造商 Infineon Technologies
系列 -
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 NPT
配置 三相反相器
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 1200V
電流 - 集電極(IC)(最大值) 105A
功率 - 最大值 350W
不同 Vge,Ic 時的 Vce(on) 2.15V @ 15V,75A
電流 - 集電極截止(最大值) 5mA
不同 Vce 時的輸入電容(Cies) 5.3nF @ 25V
輸入 標準
NTC 熱敏電阻
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 底座安裝
封裝/外殼 模塊
供應(yīng)商器件封裝 模塊
基本零件編號 V24B5H200


在雙極性晶體管中,射極到基極的很小的電流,會使得發(fā)射極到集電極之間,產(chǎn)生大電流;在場效應(yīng)晶體管中,在柵極施加小電壓,來控制源極和泄極之間的電流。

 
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