EMD3T2R介紹:
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 10 周
詳細(xì)描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預(yù)偏置
制造商 Rohm SemIConductor
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
晶體管類(lèi)型 1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙)
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 50V
電阻器 - 發(fā)射極基底(R2) 10 千歐
不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值) 30 @ 5mA,5V
不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA
電流 - 集電極截止(最大值) 500nA
頻率 - 躍遷 250MHz
功率 - 最大值 150mW
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-563,SOT-666
供應(yīng)商器件封裝 EMT6
基本零件編號(hào) *MD3
理論上和實(shí)際證明,不同種類(lèi)的晶體管可以在低于1伏到上千伏電壓下工作,而電子管的第二電源(乙電)最低也要數(shù)伏,最高也就1000多伏,所以晶體管能被用在更廣泛的電路中,使其他優(yōu)勢(shì)得以發(fā)揮。