FEP6BT介紹:
描述 DIODE ARRAY GP 100V 6A TO220AB
制造商標準提前期 53 周
詳細描述 Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100V 6A Through Hole TO-220-3
類別 分立半導體產(chǎn)品
制造商 Vishay SemIConductor Diodes Division
系列 -
零件狀態(tài) 在售
二極管配置 1 對共陰極
二極管類型 標準
電壓 - DC 反向(Vr)(最大值) 100V
電流 - 平均整流(Io)(每二極管) 6A
不同 If 時的電壓 - 正向(Vf 975mV @ 3A
速度 快速恢復 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢復時間(trr) 35ns
不同 Vr 時的電流 - 反向漏電流 5μA @ 100V
工作溫度 - 結(jié) -55°C ~ 150°C
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時,破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu),使價電子脫離共價鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。