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晶體管 - UGBT IKP40N65F5 MOSFET

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

IKP40N65F5介紹：

描述 IGBT 650V 74A 255W TO220-3

詳細(xì)描述 IGBT 650V 74A 255W Through Hole PG-TO-220-3

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - UGBT，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 TrenchStop?

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零件狀態(tài) 在售

IGBT 類型 -

電壓 - 集射極擊穿（最大值） 650V

電流 - 集電極（IC）（最大值） 74A

脈沖電流 - 集電極 (Icm) 120A

不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 2.1V @ 15V，40A

功率 - 最大值 255W

開關(guān)能量 360μJ（開），100μJ（關(guān)）

輸入類型標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷 95nC

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值 19ns/160ns

測(cè)試條件 400V，20A，15 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間（trr） 60ns

工作溫度 -40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型通孔

封裝/外殼 TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO-220-3

而IGFET的柵極絕緣層，有可能是其他物質(zhì)，而非金氧半場(chǎng)效晶體管使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場(chǎng)效晶體管組件時(shí)比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場(chǎng)效晶體管。

公司介紹

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