IS42S86400D-7TLI-TR介紹:
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
詳細(xì)描述 SDRAM 存儲(chǔ)器 IC 512Mb (64M x 8) 并聯(lián) 143MHz 5.4ns 54-TSOP II
存儲(chǔ)器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM
存儲(chǔ)容量 512Mb (64M x 8)
時(shí)鐘頻率 143MHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁 -
訪問時(shí)間 5.4ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
工作溫度 -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 54-TSOP(0.400",10.16mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝 54-TSOP II
日常使用的十進(jìn)制數(shù)必須轉(zhuǎn)換成等值的二進(jìn)制數(shù)才能存入存儲(chǔ)器中。計(jì)算機(jī)中處理的各種字符,例如英文字母、運(yùn)算符號(hào)等,也要轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制代碼才能存儲(chǔ)和操作。
當(dāng)要從DRAM芯片中讀出數(shù)據(jù)時(shí),CPU首先將行地址加在A0-A7上,而后送出RAS鎖存信號(hào),該信號(hào)的下降沿將地址鎖存在芯片內(nèi)部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上,再送CAS鎖存信號(hào),也是在信號(hào)的下降沿將列地址鎖存在芯片內(nèi)部。