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晶體管 RSQ035P03TR FET-MOSFET

類型：
分立半導體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

RSQ035P03TR介紹：

描述 MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6

詳細描述表面貼裝 P 溝道 30V 3.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）

類別分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Rohm SemIConductor

系列 -

包裝帶卷（TR）

零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計

FET 類型 P 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 3.5A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 65 毫歐 @ 3.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 9.2nC @ 5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 780pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 TSMT6（SC-95）

封裝/外殼 SOT-23-6 細型，TSOT-23-6

根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

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