PHD38N02LT介紹:
描述 MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
制造商標準提前期 16 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 20V 44.7A(Tc) 57.6W(Tc) DPAK
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 TrenchMOS??
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 44.7A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 16 毫歐 @ 25A,5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 15.1nC @ 5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 800pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 57.6W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 DPAK
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
晶體管實際上是所有現(xiàn)代電器的關鍵活動(active)元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規(guī)模生產(chǎn)的能力,因而可以不可思議地達到極低的單位成本。
恩智浦(NXP)自2006年9月1日起,成為全球半導體市場的獨立領導廠商之一。名稱中蘊含著 "新的體驗"(Next Experience)的意義,稟承英文品牌的精神, 中文名稱中的"浦"字,強調(diào)恩智浦累積過去在飛利浦53年以來的珍貴經(jīng)驗與豐富資源。