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晶體管 SPW47N60C3 FET-MOSFET

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

SPW47N60C3介紹：

描述 MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

詳細(xì)描述通孔 N 溝道 650V 47A（Tc） 415W（Tc） PG-TO247-3

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 CoolMOS??

包裝管件

零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 650V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 47A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 70 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 2.7mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 320nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 6800pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 415W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-3

封裝/外殼 TO-247-3

晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知

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