IRFIZ24N介紹:
描述 MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 55V 14A(Tc) 29W(Tc) TO-220AB 整包
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 14A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 70 毫歐 @ 7.8A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 370pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 29W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB 整包
封裝/外殼 TO-220-3 整包
晶體管比電子管體積小很多,需要空間比電子管小很多,電器使用晶體管可以做的很小。由于技術(shù)上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問(wèn)題。
Infineon Technologies是各種微電子應(yīng)用中使用廣泛的半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先設(shè)計(jì)企業(yè)、制造商和供應(yīng)商。Infineon的產(chǎn)品組合包括邏輯產(chǎn)品,如數(shù)字、混合信號(hào)及模擬集成電路以及分立式半導(dǎo)體產(chǎn)品等。