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晶體管 IRFIZ34GPBF MOSFET - 單

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

IRFIZ34GPBF介紹：

描述 MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 18 周

詳細(xì)描述通孔 N 溝道 60V 20A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay SilIConix

系列 -

包裝管件

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 20A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 50 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 46nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 42W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型通孔

供應(yīng)商器件封裝 TO-220-3

封裝/外殼 TO-220-3 全封裝，隔離接片

在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會(huì)使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。

1962年，在后來Alfred P. Slaner的資金支持下Zandman博士創(chuàng)立了威世公司，當(dāng)時(shí)以發(fā)展和制造Bulk Metal箔電阻為主。 Zandman博士的同事J.E. Starr發(fā)明了箔阻抗應(yīng)變計(jì)也成為了當(dāng)時(shí)威世產(chǎn)品的一部分。

公司介紹

安富微（深圳）商貿(mào)有限公司介紹，公司擁有一支“講誠信,有耐心，重責(zé)任，細(xì)管理，強(qiáng)服務(wù)，善溝通，靜精業(yè)務(wù)，富創(chuàng)意” 的銷售團(tuán)隊(duì).快速變化的市場環(huán)境中，我們始終秉承著“服務(wù)于客戶，讓利于客戶”的宗旨，現(xiàn)已發(fā)展成為國內(nèi)知名，國外馳名的IC混合型電子元器件代理商。