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晶體管 IRLL014N FET

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

IRLL014N介紹：

描述 MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

詳細(xì)描述表面貼裝 N 溝道 55V 2A（Ta） 1W（Ta） SOT-223

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包裝帶卷（TR）

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 55V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 2A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 140 毫歐 @ 2A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 14nC @ 10V

Vgs（最大值） ±16V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1W（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 SOT-223

封裝/外殼 TO-261-4，TO-261AA

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

Siemens SemIConductors 在 1999 年 4 月 1 日更名為 Infineon Technologies。這是一家充滿活力和動(dòng)力的公司，在全球微電子領(lǐng)域頗有建樹。

公司介紹

安富微（深圳）商貿(mào)有限公司介紹，公司擁有一支“講誠(chéng)信,有耐心，重責(zé)任，細(xì)管理，強(qiáng)服務(wù)，善溝通，靜精業(yè)務(wù)，富創(chuàng)意” 的銷售團(tuán)隊(duì).快速變化的市場(chǎng)環(huán)境中，我們始終秉承著“服務(wù)于客戶，讓利于客戶”的宗旨，現(xiàn)已發(fā)展成為國(guó)內(nèi)知名，國(guó)外馳名的IC混合型電子元器件代理商。