IS43R16160D-5BL介紹:
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
詳細(xì)描述 SDRAM - DDR 存儲(chǔ)器 IC 256Mb (16M x 16) 并聯(lián) 200MHz 700ps 60-TFBGA(8x13) 存儲(chǔ)器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR
存儲(chǔ)容量 256Mb (16M x 16)
時(shí)鐘頻率 200MHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè) 15ns
訪問(wèn)時(shí)間 700ps
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
工作溫度 0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 60-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 60-TFBGA(8x13)
當(dāng)要從DRAM芯片中讀出數(shù)據(jù)時(shí),CPU首先將行地址加在A0-A7上,而后送出RAS鎖存信號(hào),該信號(hào)的下降沿將地址鎖存在芯片內(nèi)部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上,再送CAS鎖存信號(hào),也是在信號(hào)的下降沿將列地址鎖存在芯片內(nèi)部。然后保持WE=1,則在CAS有效期間數(shù)據(jù)輸出并保持。
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) - Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 是為下列主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)袖:(I) 汽車、(II) 通信、(III) 數(shù)字消費(fèi)、(IV) 工業(yè)/醫(yī)療。 高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM 是該公司的主打產(chǎn)品。