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存儲(chǔ)器 DS1230Y-70 NVSRAM

類型：
集成電路（IC）

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產(chǎn)品信息

DS1230Y-70介紹：

描述 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 6 周

詳細(xì)描述 NVSRAM（非易失性 SRAM）存儲(chǔ)器 IC 256Kb （32K x 8）并聯(lián) 70ns 28-EDIP

類別集成電路（IC）

存儲(chǔ)器

制造商 Maxim Integrated

系列 -

包裝管件

零件狀態(tài) 在售

存儲(chǔ)器類型非易失

存儲(chǔ)器格式 NVSRAM

技術(shù) NVSRAM（非易失性 SRAM）

存儲(chǔ)容量 256Kb （32K x 8）

寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) 70ns

訪問(wèn)時(shí)間 70ns

存儲(chǔ)器接口并聯(lián)

電壓 - 電源 4.5 V ~ 5.5 V

工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）

安裝類型通孔

封裝/外殼 28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

供應(yīng)商器件封裝 28-EDIP

基本零件編號(hào) DS1230Y

首先應(yīng)用可編程定時(shí)器8253的計(jì)數(shù)器1，每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請(qǐng)求，該請(qǐng)求加在DMA控制器的0通道上。當(dāng)DMA控制器0通道的請(qǐng)求得到響應(yīng)時(shí)，DMA控制器送出到刷新地址信號(hào)，對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器執(zhí)行讀操作，每讀一次刷新一行。

Maxim是全球模擬、混合信號(hào)、高頻及數(shù)字電路設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造的領(lǐng)導(dǎo)者，所提供的產(chǎn)品能夠?qū)崿F(xiàn)上述數(shù)字內(nèi)核與周邊系統(tǒng)的連接。它們?cè)谑澜绶秶鷥?nèi)擁有大約35,000個(gè)大型客戶。

公司介紹

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