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晶體管 FQD2N60CTM 半導(dǎo)體產(chǎn)品

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

FQD2N60CTM介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 1.9A

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 11 周

詳細(xì)描述表面貼裝 N 溝道 600V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 QFET?

包裝帶卷（TR）

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 1.9A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 4.7 歐姆 @ 950mA，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 12nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 235pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），44W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 D-Pak

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

晶體管實(shí)際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動(dòng)（active）元件。晶體管在當(dāng)今社會(huì)的重要性主要是因?yàn)榫w管可以使用高度自動(dòng)化的過(guò)程進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)的能力，因而可以不可思議地達(dá)到極低的單位成本。

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公司介紹

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