AUIRLL024ZTR介紹:
描述 MOSFET NCH 55V 5A SOT223
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 55V 5A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 5A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 60 毫歐 @ 3A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 5V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 380pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-223
封裝/外殼 TO-261-4,TO-261AA
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
Infineon 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動(dòng)性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號(hào)、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。