HN2S02JE介紹:
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
詳細(xì)描述 Diode Array 2 Independent Schottky 40V 100mA Surface Mount SOT-553
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
制造商 Toshiba SemIConductor and Storage
系列 -
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
二極管配置 2 個(gè)獨(dú)立式
二極管類(lèi)型 肖特基
電壓 - DC 反向(Vr)(最大值) 40V
電流 - 平均整流(Io)(每二極管) 100mA
不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf 600mV @ 100mA
速度 小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流 5μA @ 40V
工作溫度 - 結(jié) 125°C(最大)
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-553
供應(yīng)商器件封裝 ESV
反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),致使電流急劇增大,這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。
東芝(TOSHIBA)是日本最大的半導(dǎo)體制造商,亦是第二大綜合電機(jī)制造商,隸屬于三井集團(tuán)旗下。東芝原名東京芝浦電氣株式會(huì)社,1939年由株式會(huì)社芝浦制作所和東京電氣株式會(huì)社合并而成;從1875年開(kāi)創(chuàng)至今,已經(jīng)走過(guò)了140年的漫長(zhǎng)歷程。