晶體管 BSS138LT1G 半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 類型:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

BSS138LT1G介紹:

描述 MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 36 周

詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 50V 200mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 -

包裝     帶卷(TR)

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 50V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 200mA(Ta)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V

不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 3.5 歐姆 @ 200mA,5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 225mW(Ta)

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3(TO-236)

封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值,例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用,晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪訊比等,可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。


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