FDMS7694介紹:
描述 MOSFET N-CH 30V POWER56
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 13.2A(Ta),20A(Tc) 2.5W(Ta),27W(Tc) 8-PQFN(5x6)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 13.2A(Ta),20A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 9.5 毫歐 @ 13.2A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1410pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),27W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-PQFN(5x6)
封裝/外殼 8-PowerTDFN
晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值,例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用,晶體管內部的結構會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪訊比等,可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。
該公司的產品可助力工程師能夠在以下領域應對其獨特的設計挑戰(zhàn):汽車、通信、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空航天與國防等應用。安森美半導體擁有全球一流、響應迅速的可靠供應鏈和質量程序以及穩(wěn)健的合規(guī)和道德程序,并在北美、歐洲和亞太地區(qū)的主要市場中形成了龐大的制造基地、銷售辦事處以及設計中心網絡。