FDS4935介紹:
描述 MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 2 個 P 溝道(雙) Mosfet 陣列 30V 6.9A 900mW 表面貼裝 8-SOIC
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個 P 溝道(雙)
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 6.9A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 22 毫歐 @ 6.9A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1360pF @ 15V
功率 - 最大值 900mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝 8-SOIC
晶體管實際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動(active)元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規(guī)模生產(chǎn)的能力,因而可以不可思議地達到極低的單位成本。
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