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晶體管 BSZ088N03LS G 半導(dǎo)體產(chǎn)品

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

BSZ088N03LS G介紹：

描述 MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

詳細(xì)描述表面貼裝 N 溝道 30V 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS??

包裝帶卷（TR）

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 12A（Ta），40A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 8.8 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 21nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），35W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 PG-TSDSON-8

封裝/外殼 8-PowerTDFN

晶體管在電路最常用的用途應(yīng)該是屬于信號(hào)放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號(hào)轉(zhuǎn)換等，晶體管在電路中是個(gè)很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。

Infineon 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、移動(dòng)性和安全性，為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。

公司介紹

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