類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包裝 ? 剪切帶(CT) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 1A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 380 毫歐 @ 500mA,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 0.68nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 83pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 360mW(Ta),2.7W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 DFN1006-3
封裝/外殼 SC-101,SOT-883