IRL60B21 全新原裝熱賣

產品信息

類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?,StrongIRFET?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 195A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 1.9 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 258nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 15570pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 375W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
 
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公司介紹

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