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QB-78K0RKE3L-TB

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  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • 78K0R KE3L UPD78F1009 TEST - Boxed Product (Development Kits)
QB-78K0RKE3L-TB 技術(shù)參數(shù)
  • QB3725A60WSTC 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售 類型:散熱片 冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座 形狀:矩形 寬度:0.245"（6.22mm） 直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.060"（1.52mm） 不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:6°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型 材料鍍層:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 QB2525A60WSTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售 類型:散熱片 冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座 形狀:矩形 長(zhǎng)度:0.240"（6.10mm） 寬度:0.250"（6.35mm） 直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.060"（1.52mm） 不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:4°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型 材料鍍層:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 QB2010A60WSTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售 類型:散熱片 冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座 形狀:矩形 長(zhǎng)度:0.195"（4.95mm） 寬度:0.095"（2.41mm） 直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.060"（1.52mm） 不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:10°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型 材料鍍層:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 QB1111A40WYTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售 類型:散熱片 冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座 形狀:矩形 長(zhǎng)度:0.110"（2.79mm） 寬度:0.110"（2.79mm） 直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.040"（1.02mm） 不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:7°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型 材料鍍層:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 QB1005A40WYTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售 類型:散熱片 冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座 形狀:矩形 長(zhǎng)度:0.100"（2.54mm） 寬度:0.050"（1.27mm） 直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.040"（1.02mm） 不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:13°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型 材料鍍層:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 QB-80-CA-01S QB-80-EP-01T QB-80GC-MA-01S QB-80GK-EA-03S QB-80GK-MA-01S QB-80-SA-01S QBASS40YG0 QBASS40YG1 QB-BASE120-Q QB-BASE175-Q QBC11ZH-NT QB-COMMON-PW-EA QB-CONN QBDE067A0B41-HZ QBDE067A0B641-HZ QBDE067A0B641-PHZ QBDS200AG QBDS200R
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