RC28F640J3D75B TR

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RC28F640J3D75B TR
萬三科技（深圳）有限公司
萬三科技（深圳）有限公司
聯(lián)系人：王小康
電話：181886423070755-21006672
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C
6500000
Micron Technology Inc.
原廠原裝
22+
-
萬三科技秉承原裝實單可議

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RC28F640J3D75B TR 技術參數(shù)

RC28F640J3D75B 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ RC28F640J3D75A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ RC28F640J3C115SL7H9 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64EZBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 RC28F512M29EWLA 功能描述:IC FLASH 512M M29EW 65NM 64BGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) RC28F512M29EWHA 功能描述:IC FLASH 512M M29EW 65NM 64BGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR RC28F640P30TF65A RC28F640P33B85A RC28F640P33BF60A RC28F640P33T85A RC28F640P33TF60A RC28F800C3BD70 RC28M1D28 RC28M1K RC2951M RC-2-B RC-3 RC3002B7TR13 RC3002B7TR7 RC3005B6TR13 RC3005B6TR7 RC3007B6TR13 RC3007B6TR7 RC3-2.5-01LS