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S34MS04G200BHV003

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S34MS04G200BHV003 技術(shù)參數(shù)
  • S34MS04G200BHV000 功能描述:IC FLASH 4GBIT 45NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NAND 存儲(chǔ)容量:4Gb （512M x 8） 寫周期時(shí)間 - 字，頁:45ns 訪問時(shí)間:45ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:63-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:63-BGA（11x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:210 S34MS04G200BHI000 制造商:Spansion 功能描述:SLC NAND FLASH MEMORY FOR EMBEDDED, 4 GB DENSITI - Trays 制造商:Spansion 功能描述:IC FLASH 4GBIT 63-BGA 制造商:Spansion 功能描述:IC MEMORY FLASH 4GBIT NAND 制造商:Spansion 功能描述:IC, MEMORY, FLASH, 4GBIT, NAND, BGA-63 制造商:Spansion 功能描述:IC, MEMORY, FLASH, 4GBIT, NAND, BGA-63, Memory Type:Flash - NAND, Memory Size:4G 制造商:Spansion 功能描述:MEMORY, FLASH NAND, 512MB, BGA-63, Memory Type:Flash - NAND, Memory Size:512MB, 制造商:Spansion 功能描述:MEMORY, FLASH NAND, 512MB, BGA-63, Memory Type:Flash - NAND, Memory Size:512MB, Supply Voltage Min:1.7V, Supply Voltage Max:1.95V, Memory Case Style:BGA, No. of Pins:63, Access Time:45ns, IC Interface Type:Parallel S34MS04G100BHI000 制造商:Spansion 功能描述:1-BIT ECC, X8 I/O AND 1.8V VCC SPANSION? SLC NAN - Trays 制造商:Spansion 功能描述:IC FLASH 4GBIT 63-BGA 制造商:Spansion 功能描述:IC MEMORY FLASH 4GBIT NAND 制造商:Spansion 功能描述:IC, MEMORY, FLASH, 4GBIT, NAND, BGA-63, Memory Type:Flash - NAND, Memory Size:4G 制造商:Spansion 功能描述:MEMORY, FLASH NAND, 512MB, BGA-63, Memory Type:Flash - NAND, Memory Size:512MB, 制造商:Spansion 功能描述:MEMORY, FLASH NAND, 512MB, BGA-63, Memory Type:Flash - NAND, Memory Size:512MB, Supply Voltage Min:1.7V, Supply Voltage Max:1.95V, Memory Case Style:BGA, No. of Pins:63, Access Time:45ns, IC Interface Type:Parallel S34MS02G204BHI010 功能描述:IC FLASH 2GBIT 45NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NAND 存儲(chǔ)容量:2Gb （128M x 16） 寫周期時(shí)間 - 字，頁:45ns 訪問時(shí)間:45ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:63-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:63-BGA（11x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:210 S34MS02G104BHI010 功能描述:閃存 2G, 1.8V, 45ns NAND 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S34MS08G201BHB000 S34MS08G201BHB003 S34MS08G201BHI000 S34MS08G201BHI003 S34MS08G201BHV000 S34MS08G201BHV003 S34MS16G202BHI000 S34MS16G202BHI003 S34SL01G200BHI000 S34SL01G200BHI003 S34SL01G200BHV000 S34SL01G200BHV003 S34SL02G200BHI000 S34SL02G200BHI003 S34SL02G200BHV000 S34SL02G200BHV003 S34SL04G200BHI000 S34SL04G200BHI003
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