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SI-EPF006440WW

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Samsung Semiconductor, In

  • 原廠封裝

  • 16+

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

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  • 北京耐芯威科技有限公司
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    聯(lián)系人:劉先生

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    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • Samsung Semiconductor, In

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SI-EPF006440WW 技術(shù)參數(shù)
  • SIDEGIG-GUITAREVM 功能描述:EVALUATION MODULE 制造商:texas instruments 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 技術(shù):磁耦合 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度(最小值):- 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):340ns,330ns 脈寬失真(最大):- 上升/下降時(shí)間(典型值):90ns,81ns 電流 - 輸出高,低:3.6A,4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向(Vf)(典型值):- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 寬),15 引線 供應(yīng)商器件封裝:eSOP-R16B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 技術(shù):磁耦合 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度(最小值):- 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):340ns,330ns 脈寬失真(最大):- 上升/下降時(shí)間(典型值):90ns,81ns 電流 - 輸出高,低:3.6A,4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向(Vf)(典型值):- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 寬),15 引線 供應(yīng)商器件封裝:eSOP-R16B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 SIGFOX/LORA ANTENNA KIT SIGN17X22E SIGN17X22S SIHA11N80E-GE3 SIHA12N50E-E3 SIHA12N60E-E3 SIHA14N60E-E3 SIHA15N50E-E3 SIHA15N60E-E3 SIHA15N65E-GE3 SIHA17N80E-E3 SIHA18N60E-E3 SIHA20N50E-E3 SIHA21N60EF-E3 SIHA21N65EF-E3 SIHA22N60AE-E3 SIHA22N60E-E3 SIHA22N60EL-E3
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