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SI1970DH-T1-GE3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • SI1970DH-T1-GE3
    SI1970DH-T1-GE3

    SI1970DH-T1-GE3

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 9250

  • VISHAY

  • SC70-6

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • SI1970DH-T1-GE3
    SI1970DH-T1-GE3

    SI1970DH-T1-GE3

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • VISHAY

  • SOT-363

  • 新年份

  • -
  • 一級(jí)代理全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)!

  • SI1970DH-T1-GE3
    SI1970DH-T1-GE3

    SI1970DH-T1-GE3

  • 深圳市新良宇電子有限公司
    深圳市新良宇電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-8323763213302457603

    地址:福田區(qū)振興路華勻大廈221室

  • 56912

  • Vishay Siliconix

  • MOSFET N-CH DUAL 30V

  • 23+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨歡迎來電查詢!

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
SI1970DH-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
  • 系列
  • TrenchFET®
  • 產(chǎn)品目錄繪圖
  • 8-SOIC Mosfet Package
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • FET 型
  • 2 個(gè) N 溝道(雙)
  • FET 特點(diǎn)
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 75 毫歐 @ 4.6A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)
  • 3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • -
  • 功率 - 最大
  • 1.4W
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • PowerPAK? SO-8
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 產(chǎn)品目錄頁面
  • 1664 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱
  • SI7948DP-T1-GE3DKR
SI1970DH-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)
  • SI1869DH-T1-GE3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI1869DH-T1-E3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI1867DL-T1-GE3 功能描述:IC LOAD SW LEVEL SHIFTER SC-70-6 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 電源分配開關(guān) 系列:- 特色產(chǎn)品:XRP252 Switches 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:高端開關(guān) 輸出數(shù):2 Rds(開):140 毫歐 內(nèi)部開關(guān):是 電流限制:1.15A 輸入電壓:1.75 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:10-WFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:10-TDFN(3x3) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:1016-1691-6 SI1867DL-T1-E3 功能描述:MOSFET 1.8-8.0V w/Lvl-Shift RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI1865DL-T1-GE3 功能描述:IC LOAD SW LVL SHIFT 1.2A SC70-6 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 電源分配開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:80 系列:- 類型:USB 開關(guān) 輸出數(shù):2 Rds(開):135 毫歐 內(nèi)部開關(guān):是 電流限制:1.5A 輸入電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP-PowerPad 包裝:管件 配用:TPS2066-1EVM-296-ND - TPS2066-1EVM-296 SI2115-A10-GM SI2115-A10-GMR SI2124-A20-GM SI2124-A20-GMR SI2124-A-EVB SI2127-A30-GM SI2127-A30-GMR SI2128-A20-GM SI2128-A20-GMR SI2136-B30-GM SI2136-B30-GMR SI2137-A30-GM SI2137-A30-GMR SI2138-A20-GM SI2138-A20-GMR SI2141-A10-GM SI2141-A10-GMR SI2141-B10-GM
配單專家

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免責(zé)聲明:以上所展示的SI1970DH-T1-GE3信息由會(huì)員自行提供,SI1970DH-T1-GE3內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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