123,123,123

STB155N3LH6
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
D2PAK
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STB155N3LH6
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
2380
STMICROEL
1521+
-
全新原裝現貨

STB155N3LH6
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
3526
ST
D2PAK
14+
-
原裝正品，現貨庫存，400-800-03...

STB155N3LH6
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業(yè)執(zhí)照
6004
ST/意法半導體
TO-263-3
21+
-
原裝正品現貨可開增值稅發(fā)票

STB155N3LH6
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯系人：唐先生
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地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ST
TO-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

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功能描述
MOSFET N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STB155N3LH6 技術參數

STB155N3H6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3650pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB15200TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 15A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:160μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 STB15150TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.36V @ 15A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 STB15100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 15A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:686pF @ 5V， 1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 STB150NF55T4 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB15NM65N STB160N75F3 STB160NF3LLT4 STB16N65M5 STB16NF06LT4 STB16NF25 STB16NK65Z-S STB16NM50N STB16NS25T4 STB16PF06LT4 STB170NF04 STB17-BLANK-5 STB17N80K5 STB180N55F3 STB185N55F3 STB18N55M5 STB18N60DM2 STB18N60M2

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