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STB46N30M5

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STB46N30M5
    STB46N30M5

    STB46N30M5

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人:林先生

    電話:135-3814-2003

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3132

  • ST(意法)

  • 原裝正品

  • 23/24+

  • -
  • 只做原裝正品 假一賠十 現(xiàn)貨

  • STB46N30M5
    STB46N30M5

    STB46N30M5

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO263

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • STB46N30M5
    STB46N30M5

    STB46N30M5

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • STB46N30M5
    STB46N30M5

    STB46N30M5

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ST

  • TO-263

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • STB46N30M5
    STB46N30M5

    STB46N30M5

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-263

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • STB46N30M5
    STB46N30M5

    STB46N30M5

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6006

  • ST/意法半導體

  • TO-263-3

  • 22+

  • -
  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • 1/1頁 40條/頁 共20條 
  • 1
STB46N30M5 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? V
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 300V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 53A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 40 毫歐 @ 26.5A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 95nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 4240pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 250W
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商器件封裝
  • D2PAK
  • 標準包裝
  • 1
STB46N30M5 技術參數(shù)
  • STB45NF06T4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):38A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):980pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-4,D2Pak(3 引線+接片),TO-263AA 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB45NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):38A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):980pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB45N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 35A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 19.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):91nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3375pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB45N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級,AEC-Q101,MDmesh? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STB45N50DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級,AEC-Q101,MDmesh? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):84 毫歐 @ 17.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB5600TR STB57N65M5 STB5N52K3 STB5N62K3 STB5N80K5 STB5NK50Z-1 STB5NK50ZT4 STB5NK52ZD-1 STB60100CTR STB60N55F3 STB60NE06L-16T4 STB60NF06LT4 STB60NF06T4 STB60NF10-1 STB60NF10T4 STB60NH02LT4 STB6N52K3 STB6N60M2
配單專家

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