您好，歡迎來(lái)到買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)
您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > S字母型號(hào)搜索 > S字母第6043頁(yè) >

STD11N60DM2

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STD11N60DM2
    STD11N60DM2

    STD11N60DM2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠(chǎng)封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話(huà)010-62...

  • STD11N60DM2
    STD11N60DM2

    STD11N60DM2

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話(huà)：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6008

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • TO-252-3

  • 21+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開(kāi)增值稅發(fā)票

  • STD11N60DM2
    STD11N60DM2

    STD11N60DM2

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯(lián)系人：汪小姐

    電話(huà)：19240207240

    地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • ST/意法

  • NA

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)供應(yīng) 品質(zhì)保障 可開(kāi)13點(diǎn)發(fā)票

  • STD11N60DM2
    STD11N60DM2

    STD11N60DM2

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話(huà)：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 7500

  • ST MICROELECTRONICS

  • 價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • 2423

  • -

  • 全新原裝渠道現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共5條 
  • 1
STD11N60DM2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類(lèi)型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 10A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 420 毫歐 @ 5A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 16.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 614pF @ 100V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • *
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DPAK
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STD11N60DM2 技術(shù)參數(shù)
  • STD11N50M2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:530 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:395pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD110N8F6 功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9130pF @ 40V 功率 - 最大值:167W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD10PF06T4 功能描述:MOSFET P-CH 60V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:850pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD10PF06-1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 10A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:850pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線(xiàn)，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STD10P6F6 功能描述:MOSFET P CH 60V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 48V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD120N4LF6 STD12100TR STD127DT4 STD12N10T4G STD12N50DM2 STD12N50M2 STD12N60M2 STD12N65M2 STD12N65M5 STD12NF06-1 STD12NF06L-1 STD12NF06LT4 STD12NF06T4 STD12NM50N STD12NM50ND STD12W-0 STD12W-1 STD12W-2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*
配單專(zhuān)家
STD11N60DM2相關(guān)熱門(mén)型號(hào)

在采購(gòu)STD11N60DM2進(jìn)貨過(guò)程中，您使用搜索有什么問(wèn)題和建議？點(diǎn)此反饋

友情提醒：為規(guī)避購(gòu)買(mǎi)STD11N60DM2產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn)，建議您在購(gòu)買(mǎi)STD11N60DM2相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明：以上所展示的STD11N60DM2信息由會(huì)員自行提供，STD11N60DM2內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) (beike2008.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏(yíng)互動(dòng)信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號(hào) | 粵ICP備14064281號(hào)