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STD24W-V

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STD24W-V
    STD24W-V

    STD24W-V

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TE Connectivity Raychem C

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • STD24W-V
    STD24W-V

    STD24W-V

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • RAYCHEM

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品質(zhì)量保障

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
STD24W-V PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 電線鑒定 STD24W-V
  • RoHS
  • 制造商
  • TE Connectivity / Q-Cees
  • 產(chǎn)品
  • Labels and Signs
  • 類型
  • 材料
  • Vinyl
  • 顏色
  • Blue
  • 寬度
  • 0.625 in
  • 長度
  • 1 in
STD24W-V 技術(shù)參數(shù)
  • STD22NM20NT4 功能描述:MOSFET N-CH 200V 22A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):800pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD20NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):940pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD20NF06T4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):690pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD20NF06LT4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):660pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD20NF06LAG 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 24A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V Vgs(最大值):- FET 功能:- 功率耗散(最大值):60W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD24Y-6 STD24Y-7 STD24Y-8 STD24Y-9 STD24Y-A STD24Y-B STD24Y-C STD24Y-D STD24Y-L STD24Y-R STD25 STD25N10F7 STD25NF10LA STD25NF10LT4 STD25NF10T4 STD25NF20 STD25P03LT4G STD26NF10
配單專家

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