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STD826T4

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • STD826T4
    STD826T4

    STD826T4

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ST

  • TO-252

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • STD826T4
    STD826T4

    STD826T4

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • SOT-252

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • STD826T4
    STD826T4

    STD826T4

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • 原廠品牌

  • 原廠標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 14+

  • -
  • 全新原裝,進(jìn)口現(xiàn)貨,準(zhǔn)時(shí)交貨,量大優(yōu)惠

  • STD826T4
    STD826T4

    STD826T4

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ST

  • TO-252

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • STD826T4
    STD826T4

    STD826T4

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3526

  • ST

  • D-Pak

  • 14+

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫(kù)存,400-800-03...

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共16條 
  • 1
STD826T4 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANSISTOR PNP 30V 3A DPAK
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • 晶體管類型
  • NPN
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 1A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 30V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)
  • 200mV @ 100mA,1A
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • 100nA
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)
  • 300 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大
  • 710mW
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換
  • 100MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 其它名稱
  • MMBT489LT1GOSDKR
STD826T4 技術(shù)參數(shù)
  • STD815CP40 功能描述:TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN,PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,350mA 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):16 @ 350mA,5V 功率 - 最大值:2.6W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:8-DIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STD80N6F6 功能描述:MOSFET N-CH 60V DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):122nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7480pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD80N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2150pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD80N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 70A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3100pF @ 50V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD7NS20T4 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):540pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD8N65M5 STD8N80K5 STD8NF25 STD8NM50N STD8NM60N STD8NM60N-1 STD8NM60ND STD901T STD90N02L STD90N02L-1 STD90N03L STD90N03L-1 STD90N4F3 STD90NH02LT4 STD90NS3LLH7 STD95N04 STD95N2LH5 STD95N3LLH6
配單專家
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