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STGB4M65DF2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • STGB4M65DF2
    STGB4M65DF2

    STGB4M65DF2

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場1棟613室

  • 10000

  • ST

  • DIP/SOP

  • 19+

  • -

  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

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  • 1
STGB4M65DF2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount D2PAK
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • M
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • IGBT 類型
  • 溝槽型場截止
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 650V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 8A
  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm)
  • 16A
  • 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
  • 2.1V @ 15V，4A
  • 功率 - 最大值
  • 68W
  • 開關(guān)能量
  • 40μJ（開），136μJ（關(guān)）
  • 輸入類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷
  • 15.2nC
  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值
  • 12ns/86ns
  • 測試條件
  • 400V，4A，47 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
  • 133ns
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • D2PAK
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STGB4M65DF2 技術(shù)參數(shù)
  • STGB40V60F 功能描述:IGBT 600V 80A 283W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開關(guān)能量:456μJ（開），411μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:226nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:52ns/208ns 測試條件:400V，40A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB40H65FB 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:HB 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開關(guān)能量:498μJ（開），363μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:40ns/142ns 測試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB3NC120HDT4 功能描述:IGBT 1200V 14A 75W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.8V @ 15V，3A 功率 - 最大值:75W 開關(guān)能量:236μJ（開），290μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:24nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/118ns 測試條件:800V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:51ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB3NB60FDT4 功能描述:IGBT 600V 6A 68W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，3A 功率 - 最大值:68W 開關(guān)能量:125μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:16nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:12.5ns/105ns 測試條件:480V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:45ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB35N35LZT4 功能描述:IGBT 345V 40A 176W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:345V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.7V @ 4.5V，15A 功率 - 最大值:176W 開關(guān)能量:- 輸入類型:邏輯 柵極電荷:49nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:1.1μs/26.5μs 測試條件:300V，15A，5V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB7NC60HDT4 STGB7NC60HT4 STGB8NC60KDT4 STGB8NC60KT4 STGBL6NC60DIT4 STGBL6NC60DT4 STGD10HF60KD STGD10NC60HDT4 STGD10NC60HT4 STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KT4 STGD10NC60SDT4 STGD10NC60ST4 STGD1100LT1G STGD14NC60KT4 STGD18N40LZ-1 STGD18N40LZT4 STGD19N40LZ
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