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STI12NM50N

配單專家企業(yè)名單
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  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • STI12NM50N
    STI12NM50N

    STI12NM50N

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO-262

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • STI12NM50N
    STI12NM50N

    STI12NM50N

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • TO-262

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • STI12NM50N
    STI12NM50N

    STI12NM50N

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 435000

  • ST

  • TO-262

  • 08+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • STI12NM50N
    STI12NM50N

    STI12NM50N

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 3526

  • ST

  • I2PAK

  • 14+

  • -

  • 原裝正品，現貨庫存，400-800-03...

  • STI12NM50N
    STI12NM50N

    STI12NM50N

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ST正品

  • TO-262

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
STI12NM50N PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch, 500V-0.29ohms Mdmesh 11A
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STI12NM50N 技術參數
  • STI12N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:430 毫歐 @ 4.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI11NM80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK（TO-262） 標準包裝:50 STI10NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:540pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI10N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1250pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STHVDAC-256MTGF3 功能描述:DAC 7 bit Serial 20-Flip-Chip 制造商:stmicroelectronics 系列:* 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:DAC 分辨率（位）:7 b 采樣率（每秒）:- 數據接口:串行 電壓源:模擬和數字 電壓 - 電源:1.65 V ~ 1.95 V， 2.3 V ~ 5 V 工作溫度:-30°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-UFBGA，FCBGA 供應商器件封裝:20-倒裝芯片 標準包裝:1 STI175N4F6AG STI17NF25 STI18N60M2 STI18N65M2 STI18N65M5 STI18NM60N STI19NM65N STI200N6F3 STI20N60M2-EP STI20N65M5 STI21N65M5 STI21NM60ND STI22NM60N STI23NM60N STI23NM60ND STI24N60M2 STI24NM60N STI24NM65N
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