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STL3N80K5

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  • STL3N80K5
    STL3N80K5

    STL3N80K5

  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯(lián)系人：梁

    電話：17876146278

    地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 2000

  • XILINX

  • BGA

  • 23+

  • -

  • 全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

  • STL3N80K5
    STL3N80K5

    STL3N80K5

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6002

  • ST/意法半導體

  • PowerFLAT-5x6-VHV-8

  • 22+

  • -

  • 原裝正品現貨 可開增值稅發(fā)票

  • STL3N80K5
    STL3N80K5

    STL3N80K5

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人：優(yōu)質現貨代理商

    電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生

    地址：深圳市福田區(qū)振興路上步商務中心大廈205棟5A10

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5492

  • STMicroelectronics

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 授權分銷商，可追溯原廠可含稅

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
STL3N80K5 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
STL3N80K5 技術參數
  • STL3N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:408pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（2x2） 標準包裝:1 STL38N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Ta），22.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL36N55M5 功能描述:MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 16.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2670pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL36DN6F7 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:420pF @ 30V 功率 - 最大值:58W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標準包裝:1 STL35N6F3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 44A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標準包裝:1 STL42P6LLF6 STL-450-3-01 STL-450-3-19 STL-450-8-01 STL45N65M5 STL45P3LLH6 STL4LN80K5 STL4N10F7 STL4N80K5 STL4P2UH7 STL4P3LLH6 STL50DN6F7 STL50N6F7 STL50NH3LL STL51N3LLH5 STL52N25M5 STL55NH3LL STL56N3LLH5
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