STP12IE90F4

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

STP12IE90F4
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
TO-220FP
18+
-
Transistor Gate Driv...

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功能描述
功率驅(qū)動(dòng)器IC Swtch Bi Transistr ESBT 900 V 12
RoHS
否
制造商
Micrel
產(chǎn)品
MOSFET Gate Drivers
類型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升時(shí)間
下降時(shí)間
電源電壓-最大
30 V
電源電壓-最小
2.75 V
電源電流
最大功率耗散
最大工作溫度
+ 85 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-8
封裝
Tube

STP12IE90F4 技術(shù)參數(shù)

STP120NH03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:77nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4100pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP120NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:110A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:233nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP120N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3850pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP11NM80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:43.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP11NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:455 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:800pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP12NM50FD STP12NM50FP STP12NM50N STP12NM60N STP12PF06 STP130N10F3 STP130N6F7 STP130N8F7 STP130NH02L STP13N60M2 STP13N65M2 STP13N80K5 STP13N95K3 STP13NK50Z STP13NK60Z STP13NK60ZFP STP13NM50N STP13NM60N