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STV200N55F3
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STV200N55F3
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
4000
ST
標(biāo)準(zhǔn)封裝
08+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

STV200N55F3
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
4000
ST
標(biāo)準(zhǔn)封裝
08+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

STV200N55F3
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
10-PowerSO
18+
-
MOSFET N-CH 55V 200A...

STV200N55F3
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
2675
STMICROEL
剪切帶（CT
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

STV200N55F3
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3526
ST
10-PowerSO
14+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫(kù)存，400-800-03...

STV200N55F3
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
36200
STMicroelectronics
原廠原裝
18+
-
原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共21條
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功能描述
MOSFET N-channel 55 V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STV200N55F3 技術(shù)參數(shù)

STV160NF03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4700pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:10-PowerSO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STV160NF02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 15V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:10-PowerSO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STV0976 功能描述:IC COPROCESSOR DGTL SMIA 56TFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 專用 IC 系列:* 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:調(diào)幀器應(yīng)用:數(shù)據(jù)傳輸安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:400-BBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:400-PBGA（27x27）包裝:散裝 STV0974E/TR 功能描述:音頻 DSP Imaging Coprocessor RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作電源電壓: 電源電流: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Tube STV08 功能描述:Dip Switch SPST 8 Position Through Hole Slide (Standard) Actuator 10mA 5VDC 制造商:te connectivity alcoswitch switches 系列:STV 包裝:管件零件狀態(tài):有效電路:SPST 針腳數(shù):8 額定電流:10mA 額定電壓:5VDC 致動(dòng)器類型:滑動(dòng)式（標(biāo)準(zhǔn)）致動(dòng)器水平:凹槽式，隱藏式觸頭材料:銅合金觸頭鍍層:金板上高度:0.244"（6.20mm）安裝類型:通孔端子類型:PC 引腳間距:0.100"（2.54mm），全可水洗:是特性:- 基體材料:聚苯硫醚（PPS）長(zhǎng)度:0.926"（23.52mm）工作溫度:-30°C ~ 85°C 機(jī)械壽命:1，000 次循環(huán) 電氣壽命:1，000 次循環(huán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 STV6412AD STV6412ADT STV6413DT STV-6501C-D01 STV6618D STV-674/100T-E01 STV-674/501C-R01 STV-674/502V-R01 STV-676/501C-R01 STV-676/502S-R01 STV-676-E01 STV-684-E02 STV8131 STV8163 STV8164 STV8206 STV8216 STV-974/552S-R01

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