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STW5630/JDR18BDR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STW5630/JDR18BDR
    STW5630/JDR18BDR

    STW5630/JDR18BDR

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售經(jīng)理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 175000

  • Seoul Semiconductor Inc.

  • LED原廠規(guī)格

  • 23+

  • -
  • 真實(shí)的資源竭誠服務(wù)您

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
STW5630/JDR18BDR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • LED Lighting COBs, Engines, Modules -
  • 制造商
  • seoul semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 過期
  • 類型
  • -
  • 顏色
  • -
  • CCT(K)
  • -
  • 波長
  • -
  • 配置
  • -
  • 通量 @ 電流/溫度 -測試
  • -
  • 電流 - 測試
  • -
  • 溫度 - 測試
  • -
  • 電壓 - 正向(Vf)(典型值)
  • -
  • 不同測試電流時的流明/瓦
  • -
  • 電流 - 最大值
  • -
  • CRI(高顯色指數(shù))
  • -
  • 視角
  • -
  • 特性
  • -
  • 大小/尺寸
  • -
  • 高度
  • -
  • 發(fā)光面(LES)
  • -
  • 透鏡類型
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STW5630/JDR18BDR 技術(shù)參數(shù)
  • STW55NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):51A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 25.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):190nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5800pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW55NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):51A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 25.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):190nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5800pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW55NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 54A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):54A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):54 毫歐 @ 27A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5800pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW54NM65ND 功能描述:MOSFET N-CH 650V 59A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):188nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6200pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW52NK25Z 功能描述:MOSFET N-CH 250V 52A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):52A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 26A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4850pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW58N60DM2AG STW58N65DM2AG STW5NK100Z STW60N65M5 STW60NE10 STW60NM50N STW62N65M5 STW62NM60N STW65N65DM2AG STW65N80K5 STW68N60M6 STW69N65M5 STW69N65M5-4 STW6N120K3 STW6N90K5 STW6N95K5 STW70N10F4 STW70N60DM2
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