1N5381BRLG

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功能描述
穩(wěn)壓二極管 130V 5W
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N5381BRLG 技術(shù)參數(shù)

1N5381BRL 功能描述:DIODE ZENER 130V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:130V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:190 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 98.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N5381BG 功能描述:DIODE ZENER 130V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:130V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:190 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 98.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5381BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 130V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:130V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:190 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 93.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5381BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 130V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:130V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:190 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 93.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5381BE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 130V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:130V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:190 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 93.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5382/TR8 1N5382A/TR12 1N5382A/TR8 1N5382AE3/TR12 1N5382AE3/TR13 1N5382AE3/TR8 1N5382B 1N5382B/TR12 1N5382B/TR8 1N5382BE3/TR12 1N5382BE3/TR13 1N5382BE3/TR8 1N5382BRLG 1N5382C/TR12 1N5382C/TR8 1N5382CE3/TR12 1N5382CE3/TR13 1N5382CE3/TR8