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SI7114DN-T1-E3

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SI7114DN-T1-E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SI7114DN-T1-E3 技術參數
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