SIR422DP-T1-GE3

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功能描述
MOSFET 40V 40A N-CH MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

SIR422DP-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)

SIR383C 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 11mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:紅外線電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:11mW/sr @ 20mA 波長:875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:20° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向標準包裝:500 SIR383 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 11mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:紅外線電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:11mW/sr @ 20mA 波長:875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:20° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向標準包裝:500 SIR-34ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 3.5mW/sr @ 50mA 54° T-1 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:3.5mW/sr @ 50mA 波長:950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:54° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:T-1 標準包裝:2,000 SIR-341ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.3V 75mA 5.6mW/sr @ 50mA 32° T-1 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:75mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:32° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:T-1 標準包裝:2,000 SIR333-A 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:紅外線電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:7.8mW/sr @ 20mA 波長:875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:20° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向標準包裝:500 SIR466DP-T1-GE3 SIR468DP-T1-GE3 SIR470DP-T1-GE3 SIR472ADP-T1-GE3 SIR472DP-T1-GE3 SIR474DP-T1-GE3 SIR474DP-T1-RE3 SIR476DP-T1-GE3 SIR482DP-T1-GE3 SIR484DP-T1-GE3 SIR492DP-T1-GE3 SIR494DP-T1-GE3 SIR496DP-T1-GE3 SIR-505STA47F SIR-563ST3FM SIR-568ST3F SIR-56ST3FF SIR606BDP-T1-RE3