SN74ABT821ADBR

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功能描述
觸發(fā)器 3 St 10bit Bus Inter
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
電路數(shù)量
2
邏輯系列
SN74
邏輯類型
D-Type Flip-Flop
極性
Inverting, Non-Inverting
輸入類型
CMOS
輸出類型
傳播延遲時間
4.4 ns
高電平輸出電流
- 16 mA
低電平輸出電流
16 mA
電源電壓-最大
5.5 V
最大工作溫度
+ 85 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
X2SON-8
封裝
Reel

SN74ABT821ADBR 技術(shù)參數(shù)

SN74ABT7820-30PN 功能描述:先進先出 512 x 18 x 2 bidir ASynch 先進先出 Memory RoHS:否制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: SN74ABT7820-30PH 功能描述:先進先出 512 x 18 x 2 bidir ASynch 先進先出 Memory RoHS:否制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: SN74ABT7820-25PN 功能描述:先進先出 512 x 18 x 2 bidir ASynch 先進先出 Memory RoHS:否制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: SN74ABT7820-25PH 功能描述:先進先出 512 x 18 x 2 bidir ASynch 先進先出 Memory RoHS:否制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: SN74ABT7820-20PN 功能描述:先進先出 512 x 18 x 2 bidir ASynch 先進先出 Memory RoHS:否制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: SN74ABT823DBRG4 SN74ABT823DW SN74ABT823DWR SN74ABT823NSR SN74ABT823NSRE4 SN74ABT823NSRG4 SN74ABT823NT SN74ABT8245DW SN74ABT8245DWG4 SN74ABT8245DWR SN74ABT827DBR SN74ABT827DW SN74ABT827DWR SN74ABT827NSR SN74ABT827NSRE4 SN74ABT827NSRG4 SN74ABT827NT SN74ABT827NTE4