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STF14NM65N

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
STF14NM65N PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-Channel 650V 0.33 Ohms 12A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STF14NM65N 技術參數(shù)
  • STF14NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):320 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):816pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STF140N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態(tài):要求報價 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):64A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.3 毫歐 @ 32A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):96nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6340pF @ 40V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STF140N6F7 功能描述:N-CHANNEL 60 V, 0.0031 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3100pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:1,000 STF13NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):845pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STF13NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):360 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):790pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STF15N80K5 STF15N95K5 STF15NM60N STF15NM60ND STF15NM65N STF16N50M2 STF16N50U STF16N60M2 STF16N60M6 STF16N65M2 STF16N65M5 STF16NF25 STF16NK60Z STF16NM50N STF17N62K3 STF17N80K5 STF17NF25 STF18N55M5
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