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    STF724

    配單專家企業(yè)名單
    • 型號
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    • 封裝
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    • 說明
    • 操作
    STF724 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
    • 功能描述
    • 兩極晶體管 - BJT NPN MEDIUM Pwr TRANSISTOR
    • RoHS
    • 制造商
    • STMicroelectronics
    • 配置
    • 晶體管極性
    • PNP
    • 集電極—基極電壓 VCBO
    • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
    • - 40 V
    • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
    • - 6 V
    • 集電極—射極飽和電壓
    • 最大直流電集電極電流
    • 增益帶寬產(chǎn)品fT
    • 直流集電極/Base Gain hfe Min
    • 100 A
    • 最大工作溫度
    • 安裝風(fēng)格
    • SMD/SMT
    • 封裝 / 箱體
    • PowerFLAT 2 x 2
    STF724 技術(shù)參數(shù)
    • STF715 功能描述:TRANS NPN 80V 1.5A SOT89 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.4W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STF6N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):950V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.25 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):450pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF6N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA Vgs(最大值):±30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.1 歐姆 @ 3A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 封裝/外殼:TO-220-3 整包 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF6N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):270pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF6N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.35 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):226pF @ 100V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF7NM50N STF7NM60N STF7NM80 STF80N10F7 STF817A STF826 STF8N60DM2 STF8N65M5 STF8N80K5 STF8N90K5 STF8NK100Z STF8NK85Z STF8NM50N STF8NM60N STF8NM60ND STF9HN65M2 STF9N60M2 STF9N65M2
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