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1N4933-1N4937-T52

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1N4933-1N4937-T52 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4933 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):150ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:12pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25,000 1N4932A 功能描述:DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):19.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):36 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 100°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4932 功能描述:DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):19.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):36 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-25°C ~ 100°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4931A 功能描述:DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):19.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):36 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 100°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4931 功能描述:DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):19.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):36 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-25°C ~ 100°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4933GHR0G 1N4933GHR1G 1N4933GL-T 1N4933GP 1N4933GP-E3/54 1N4933GP-E3/73 1N4933GPHE3/54 1N4933GPHE3/73 1N4933GP-M3/54 1N4933GP-M3/73 1N4933G-T 1N4933L-T 1N4933RL 1N4933RLG 1N4933-T 1N4934 1N4934-E3/54 1N4934-E3/73
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