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2N8524

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  • 制造商
  • SIL
  • 功能描述
  • 2N8524 SIL N3E7D
2N8524 技術(shù)參數(shù)
  • 2N7640-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 16A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:結(jié)式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Tc)(155°C) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 16A 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1534pF @ 35V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-276AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-276 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2N7639-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 15A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:結(jié)式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Tc)(155°C) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 15A 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1534pF @ 35V 功率 - 最大值:172W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-257-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-257 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2N7638-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 8A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:結(jié)式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc)(158°C) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 8A 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):720pF @ 35V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-276AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-276 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2N7637-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 7A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:結(jié)式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc)(165°C) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 7A 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):720pF @ 35V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-257-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-257 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2N7636-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 4A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:結(jié)式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Tc)(165°C) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):415 毫歐 @ 4A 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):324pF @ 35V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-276AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-276 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA 2P02-0100-ES
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