2SA211H

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2SA211H 技術(shù)參數(shù)

2SA2119KT146 功能描述:TRANS PNP 12V 0.5A SOT346 SMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:260MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SA2112-AN 功能描述:TRANS PNP 50V 3A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:390MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:3-NMP 標準包裝:2,500 2SA2099 功能描述:TRANS PNP 50V 10A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 250mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SA2094TLQ 功能描述:TRANS PNP 60V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應(yīng)商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SA2093TV2Q 功能描述:TRANS PNP 60V 2A 3PIN ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:310MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應(yīng)商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SA2126-TL-E 2SA2126-TL-H 2SA2127 2SA2127-AE 2SA21400P 2SA21400Q 2SA2151 2SA2151A 2SA2153-TD-E 2SA2154CT-GR,L3F 2SA2154CT-Y(TPL3) 2SA2154MFV-GR(TPL3 2SA2161G0L 2SA2161J0L 2SA216200L 2SA2162G0L 2SA216300A 2SA216400L