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2SK975TZ-E

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  • 2SK975TZ-E
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  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • RENESAS/瑞薩

  • TO-92

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  • 原廠授權，價格超越代理！

  • 2SK975TZ-E
    2SK975TZ-E

    2SK975TZ-E

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-83795896

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道賽格廣場55樓5566室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 36500

  • RENESAS/瑞薩

  • TO-92

  • 21+原廠授權

  • -

  • ★原廠授權★價超代理★

  • 2SK975TZ-E
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    2SK975TZ-E

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 436906

  • RENESAS

  • con

  • 24+

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  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • 2SK975TZ-E
    2SK975TZ-E

    2SK975TZ-E

  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯(lián)系人：梁

    電話：17876146278

    地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 1255

  • RENESAS

  • TO-92L

  • 12+

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  • 全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

  • 2SK975TZ-E
    2SK975TZ-E

    2SK975TZ-E

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：8296641615986789713

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 2271

  • RENESAS/瑞薩

  • TO-92

  • 12+

  • -

  • 只做原裝，假一賠十

  • 2SK975TZ-E
    2SK975TZ-E

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Renesas

  • 原封裝

  • 最新批號

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  • 一級代理,原裝正品現貨！

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  • 制造商
  • Renesas Electronics
  • 功能描述
  • Cut Tape
  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • Nch MOSFET,60V,1.5A,0.3ohm,TO-92 Mod
  • 制造商
  • Renesas
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin TO-92 Mod T/R
2SK975TZ-E 技術參數
  • 2SK932-24-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:14.5mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:200mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK932-23-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:200mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK932-22-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:7.3mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:200mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK880-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1.5V @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SK880GRTE85LF 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2.6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1.5V @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12 2SP0115T2A0-17 2SP0115T2B0-06 2SP0115T2B0-12 2SP0115T2B0-17 2SP0115T2C0-06 2SP0115T2C0-12 2SP0115T2C0-17 2SP0320T2A0-12
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