PMBFJ108.215

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PMBFJ108.215
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
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09/10+
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全新原裝100%正品保證質(zhì)量

PMBFJ108.215
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
原廠品牌
標準封裝
09/10+
-

PMBFJ108.215
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯(lián)系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
1300
nxp原裝
sot23
12+
-
進口原裝現(xiàn)貨，一定自己庫存

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PMBFJ108.215 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PMBFJ108.215 技術(shù)參數(shù)

PMBFJ108,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:80mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:10V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:30pF @ 10V（VGS）電阻 - RDS（開）:8 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBF4393,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:100 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBF4392,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBF4391,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:50mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:4V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:30 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBF170,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMBFJ308,215 PMBFJ309,215 PMBFJ310,215 PMBFJ620,115 PMBS3904,215 PMBS3904,235 PMBS3906,215 PMBS3906,235 PMBT2222,215 PMBT2222,235 PMBT2222A,215 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235